位錯(Dislocation)的概念是1934年泰勒(G.I.Taylor)等[11]最早為解釋材料的實驗強度和理論強度之間的巨大差異而提出來的。直到22年后的1956年前后,才由博爾曼(W.Bollman)、赫爾什(P.B.Hirsch)和門特(J.W.Menter)等的著名實驗直接觀察到這種缺陷。...[繼續(xù)閱讀]

    理論計算表明完整晶體的理論切變強度應為G/2π,而一般晶體切變模量G=104～105N/mm2,故G/2π是一個非常大的值,它比實際測得的臨界切應力要大好幾個數(shù)量級。由此推測,實際晶體遠不是完整的,必定存在某種缺陷,原子并非都位于其理想陣...[繼續(xù)閱讀]

    1.柏氏矢量b的確定上述介紹中我們雖然已經(jīng)引用柏氏矢量這個參量,但未給出嚴格定義,對這個重要參量的性質(zhì)也未討論。為了給讀者在今后電鏡分析中應用這一參數(shù)時有一形象而具體的概念,下面有必要對此作若干補充。含缺陷晶體...[繼續(xù)閱讀]

    用此作圖法可以將面心立方晶體中的全位錯和不全位錯以及可能的位錯反應全部表示出來。方法是:以[100]、[010]和[001]為坐標軸,以面心立方三個相互垂直、交于原點的三個面的面心和原點為頂點作四面體ABCD,如圖4-6(a)。D是坐標原點。...[繼續(xù)閱讀]

    如圖4-7所示,OCA是六方密排單胞底面上的一個三角形。O為單胞底面的中心。σ是所選取OCA三角形的中心。取Oσ為p,OA=a,AB=c。另取S、T為ΔOCA中心σ所對應的上下兩個原子層上的原子,S、σ、T連結的直線垂直于△OCA,即六面體OCAST加AB、OB兩...[繼續(xù)閱讀]

    許多金屬材料在生長過程或外力作用下,可以發(fā)生不同于正常排列順序的一種錯排,形成面缺陷,稱為層錯。和位錯一樣,它們也是材料中經(jīng)常出現(xiàn)的一種缺陷。這種面缺陷和材料的力學性能有非常密切的關系,受到材料工作者的關注,也...[繼續(xù)閱讀]

    金屬的范性形變有三種基本形式:滑移、孿生和扭折。1.滑移過程的位錯機制金屬一般都具有一個以上的滑移系統(tǒng)?；泼婧突品较蚪M成滑移系統(tǒng)。當晶體取向正好使得沿某一滑移系統(tǒng)上的分切應力達到某臨界值時,將發(fā)生單滑移形...[繼續(xù)閱讀]

    金屬與合金的強化是一個牽涉問題很廣的問題,即使是十分簡略地給出它的一個概貌,也遠遠超出了本書的范圍。但是作為材料工作者利用電鏡研究材料微觀結構的變化,又回避不了對位錯的分析,因為近代材料強化理論是建立在位錯理...[繼續(xù)閱讀]

    材料微觀斷裂理論的基礎是位錯理論,位錯理論已成功地應用于材料的強度和斷裂機制的分析。這種應用也推動了位錯理論本身的發(fā)展,今天,位錯理論比過去任何時候都完善充實,許多新的位錯組態(tài)和反應過程正是在它應用于材料科學...[繼續(xù)閱讀]

    據(jù)電子衍射運動學理論:對像襯有貢獻的衍射振幅Φg由兩部分組成,即右邊第一項exp(-2πisz)為完整晶體對襯度的貢獻;第二項exp(-2πig·R)為缺陷(這里指位錯)對襯度的貢獻。式中g是對襯度作出主要貢獻的操作反射的倒易矢量。在雙束成像...[繼續(xù)閱讀]