一類以半導體晶粒相和絕緣性晶粒邊界相為其構(gòu)成特征,并借晶粒邊界層作為電介質(zhì)的陶瓷材料制成的電容器.稱為邊界層電容器.也稱為晶界層電容器或內(nèi)邊界層電容器.這類電容器主要是以主摻雜的BaTiO3或SrTiO3或它們的固溶體為基的...[繼續(xù)閱讀]

    半導體PN結(jié)或Schottky二極管中空間電荷區(qū)寬度隨反向偏壓的增加而伸展,相應結(jié)電容將隨之下降,這表明上述器件的勢壘電容可隨偏置電壓而改變.利用這一特性從而在電路上實現(xiàn)電調(diào)諧、諧波發(fā)生或參量放大的半導體二極管稱為變?nèi)荻?..[繼續(xù)閱讀]

    由于表面效應而引起的沿平行于表面方向的電導的變化.主要是對半導體及絕緣體而言.在半導體表面,通常存在電子表面態(tài),這些表面態(tài)能與體內(nèi)能級交換電子,結(jié)果使表面層電子過?；蛉鄙匐娮佣鴰щ?并由此產(chǎn)生自建電場.在自建電場...[繼續(xù)閱讀]

    表面化學是一門關(guān)于固體和液體表面或相界面的物理和化學性質(zhì)的學科.它的內(nèi)容如溶質(zhì)在溶液表面上的吸附和分凝,液體在固體表面上的浸潤,氣體在固體表面上的吸附等都與生產(chǎn)實際聯(lián)系緊密.早期的表面化學研究主要是對有關(guān)的表...[繼續(xù)閱讀]

    研究固體表面先要制備樣品,樣品表面除接觸污染外,往往由于所處環(huán)境氣氛中氣體分子的吸附和加熱過程中體內(nèi)雜質(zhì)向表面的擴散,存在各種雜質(zhì)原子,其中常遇到的是C、S、Si,O和Al諸元素.因此,有必要除去表面上的各種雜質(zhì)元素,以制...[繼續(xù)閱讀]

    理想的完整的晶體表面是二維的晶格,具有嚴格的周期性.晶體表面任何破壞周期性的因素構(gòu)成表面缺陷.替代式雜質(zhì)原子、填隙原子、空位等是表面點缺陷,表面位錯環(huán),疇壁界等是表面的線缺陷.由于表面環(huán)境的特殊性,晶體表面還有一...[繼續(xù)閱讀]

    Potts模型是Ising模型的推廣,其中自旋可以多于兩個分量.考慮位于平面格點上的自旋系統(tǒng).每一自旋可取q個方向中的一個θn＝2nπ/q,n=0,1,2,…,q-1.一般的最近鄰互作用只依賴于相對取向θij=θni-θnj.這樣的系統(tǒng)具有Z(q)對稱性,其Hamilton量為當...[繼續(xù)閱讀]

    如果外場不太強,可用線性化Boltzmann方程來討論輸運現(xiàn)象,線性化Boltzmann方程有許多近似解法,利用變分原理來找線性化Boltzmann方程的解有它一定的特點,它是M.Z.Kohler在1949年提出來的,較之弛豫時間近似,得到了與實驗更符合的結(jié)果.在只...[繼續(xù)閱讀]

    也稱彈簧管壓力表.它是用得最廣泛的一種商品化壓力計.如圖1所示,測壓元件是一個預彎曲的扁金屬管.其一端是固定的開口端,另一端為可自由移動的封閉端.進入管內(nèi)的待測流體使彎管的截面更趨于圓形而管身趨于挺直.管的自由端的...[繼續(xù)閱讀]

    在利用量子場論方法研究粒子間存在相互作用的多粒子系統(tǒng)時,常采用產(chǎn)生算符和消滅算符表示系統(tǒng)的二次量子化哈密頓量.為計算系統(tǒng)的能級需要使此哈密頓量對角化.1947年Bogoliubov提出對哈密頓量中的產(chǎn)生算符、消滅算符作一線性變...[繼續(xù)閱讀]