質子輻照對CMOS圖像傳感器傳輸柵損傷效應的實驗與分析
光學學報
頁數(shù): 7 2024-05-10
摘要: 互補金屬氧化物半導體圖像傳感器(CIS)是一種當前應用非常廣泛的光電圖像傳感器,其應用在空間輻射環(huán)境中時遭受的質子輻照損傷問題一直備受關注。為了分析CIS內(nèi)部重要結構受輻射損傷影響及輻照損失機理,開展了關于CIS傳輸柵的質子輻照實驗,通過測試輻照前后轉移特性曲線并提取閾值電壓和飽和輸出電流,總結CIS傳輸柵的輻照損傷實驗規(guī)律。對常溫下經(jīng)過輻照后的CIS開展了退火測試,分析相關特... (共7頁)