基于GaSe/Ga₂O₃異質(zhì)結的自供電日盲紫外光電探測器

摘要： 氧化鎵(Ga₂O₃)作為超寬禁帶半導體在深紫外探測領域有極其重要的應用價值.它能與GaSe形成典型的Ⅱ型異質(zhì)結構,促進載流子分離與傳輸,進而實現(xiàn)高性能的自供電探測.本文利用等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)技術在藍寶石襯底上生長了Ga₂O₃薄膜,并采用布里奇曼技術在氧化鎵薄膜上生長了GaSe薄膜,構建了GaSe/β-Ga₂O₃異質(zhì)結光電探測器,分析其中涉及的光物... （共8頁）