智能計量裝置5G通訊技術關鍵半導體材料碳化硅制造優(yōu)化

摘要： 為提高5G通訊關鍵半導體材料碳化硅的生長速率提出了一種新的思路，對碳化硅晶體制造的關鍵技術物理氣相運輸法進行研究，通過構建包含熱場、流場以及多孔介質在內的多物理場，分析了碳化硅生產過程中的流動及傳熱傳質情況，同時提出了一種改進式的坩堝結構，在坩堝中心增加若干多孔碳管。計算結果表明，新坩堝結構能夠提高坩堝中心粉源溫度，并有利于多孔粉源內部的碳化硅氣體逸出，提高籽晶表面的過飽和度，... （共7頁）