散熱底板對IGBT模塊功率循環(huán)老化壽命的影響

摘要： 功率半導體模塊通常采用減小結殼熱阻的方式來降低工作結溫，集成Pin-Fin基板代替平板基板是一種有效的選擇。兩種封裝結構的熱阻抗特性不同，可能對其失效機理及應用壽命產生影響。針對平板基板和集成Pin-Fin基板兩種常見車規(guī)級IGBT模塊進行了相同熱力測試條件（結溫差100 K，最高結溫150℃）下的功率循環(huán)試驗，結果表明，散熱更強的Pin-Fin模塊功率循環(huán)壽命低于平板模塊。失... （共11頁）