金膜非平衡傳熱過(guò)程中電子-界面熱輸運(yùn)研究
熱科學(xué)與技術(shù)
頁(yè)數(shù): 9 2024-12-15
摘要: 隨著半導(dǎo)體與微電子技術(shù)的高速發(fā)展,高頻器件內(nèi)金屬薄膜與電介質(zhì)間的電子-界面熱輸運(yùn)成為重要的研究課題。本文基于雙溫度模型討論了金膜非平衡傳熱過(guò)程中可能存在的4種邊界條件。結(jié)合時(shí)域熱反射法測(cè)量了不同厚度的金膜,其中,79 nm金膜在電子-聲子耦合過(guò)程中,受到金/基底界面的影響較小,可以忽略,獲得了與理論預(yù)測(cè)結(jié)果一致的電子-聲子耦合因子;對(duì)于較薄的50 nm金膜,邊界上的電子-聲子散... (共9頁(yè))