雙膜層ITO/SiO₂薄膜制備及其膜電阻均勻性研究

摘要： 目的 通過雙膜層結(jié)構(gòu)設(shè)計制備ITO/SiO₂薄膜，研究了靶面磁場強度、鍍膜工件移動速度、鍍膜功率對ITO/SiO₂薄膜膜電阻均勻性的影響，并研究了優(yōu)化條件制備的ITO/SiO₂薄膜物相、形貌和結(jié)構(gòu)，并通過元素分布分析探討了SiO₂薄膜的作用。方法 利用磁控濺射法在TN玻璃基板上沉積生成SiO₂薄膜，然后再沉積氧化銦錫（ITO）薄膜，制備ITO/SiO₂薄膜樣品。利用... （共9頁）