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沉積溫度對氮化鋁壓電薄膜性能影響及機(jī)制分析

光電子·激光 頁數(shù)： 6 2024-08-20
摘要： 高頻光電通信器件對壓電材料特性要求越來越高，氮化鋁(AlN)薄膜由于其優(yōu)異的壓電特性而備受關(guān)注，高取向高壓電AlN薄膜沉積工藝優(yōu)化成為其應(yīng)用拓展的瓶頸技術(shù)之一，眾多制備工藝參數(shù)中溫度是影響AlN薄膜晶格取向的關(guān)鍵參數(shù)之一。本文采用磁控濺射的方法沉積AlN薄膜，研究了沉積溫度對AlN薄膜晶體取向及壓電性能的影響，X射線衍射(X-ray diffraction, XRD)測試結(jié)果表... （共6頁）

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