基于GOOSE-VMD的GaN HEMT器件應(yīng)力波檢測(cè)與分析
電子測(cè)量與儀器學(xué)報(bào)
頁(yè)數(shù)： 10 2024-08-31
摘要： 第三代功率半導(dǎo)體器件—氮化鎵高電子遷移率晶體管器件(GaN HEMT)以其耐壓耐溫的優(yōu)異特性在電力電子與通訊電子領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。GaN HEMT器件通常工作在高溫大功率等嚴(yán)苛的外部條件下，為了避免其突然失效對(duì)電力電子設(shè)備的正常運(yùn)行產(chǎn)生影響，對(duì)其進(jìn)行主動(dòng)實(shí)時(shí)的狀態(tài)檢測(cè)有著極其重要的意義。通過(guò)在不同溫度和漏源電壓條件下設(shè)計(jì)并進(jìn)行重復(fù)性實(shí)驗(yàn)，提取分析GaN HEMT器件開通和關(guān)斷瞬間產(chǎn)... （共10頁(yè)）
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