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低濃度CeO2/SiO2復(fù)合磨料對硅片CMP性能的影響

電子元件與材料 頁數(shù)： 8 2024-10-05
摘要： 為了在硅襯底化學(xué)機(jī)械平坦化(CMP)過程中提高對硅襯底的去除速率,同時(shí)獲得良好的表面質(zhì)量,選用了CeO2包覆SiO2的殼核結(jié)構(gòu)復(fù)合磨料,研究其在低濃度下對硅襯底去除速率和表面質(zhì)量的影響。采用掃描電子顯微鏡(SEM)、光電子能譜(XPS)對CeO2/SiO2復(fù)合磨料樣品的結(jié)構(gòu)、形貌進(jìn)行了表征,表明其具有完整包覆的殼核結(jié)構(gòu)。BET比表面積和摩擦系數(shù)測試顯示,在相似粒徑下Ce... （共8頁）

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